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BSM75GB120DLCHOSA1

BSM75GB120DLCHOSA1

僅供參考

型號 BSM75GB120DLCHOSA1
PNEDA編號 BSM75GB120DLCHOSA1
描述 IGBT 2 MED POWER 34MM-1
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,410
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 20 - 二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSM75GB120DLCHOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSM75GB120DLCHOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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BSM75GB120DLCHOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置2 Independent
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)170A
功率-最大690W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.6V @ 15V, 75A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce5.1nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 125°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 9A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

MiniPack2

供應商設備包裝

MiniPack2

FZ1800R12HP4B9HOSA2

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

2700A

功率-最大

10500W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.05V @ 15V, 1800A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

110nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

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Module

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300A

功率-最大

1130W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

45nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

Module

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

250A

功率-最大

890W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

350µA

輸入電容(Cies)@ Vce

13.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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SP6

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

340W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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