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BSN20Q-7

BSN20Q-7

僅供參考

型號 BSN20Q-7
PNEDA編號 BSN20Q-7
描述 MOSFET NCH 50V 500MA SOT23
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 26,772
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 26 - 一月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSN20Q-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSN20Q-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BSN20Q-7, BSN20Q-7數據表 (總頁數: 6, 大小: 178.35 KB)
PDFBSN20Q-7數據表 封面
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BSN20Q-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)50V
電流-25°C時的連續漏極(Id)500mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.8Ohm @ 220mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.8nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds40pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)600mW (Ta), 920mW (Tc)
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4010pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 42A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

340nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1135W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

620mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 620mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 160µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

176pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(th)(最大)@ ID

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