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BSO201SPNTMA1

BSO201SPNTMA1

僅供參考

型號 BSO201SPNTMA1
PNEDA編號 BSO201SPNTMA1
描述 MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,190
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSO201SPNTMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSO201SPNTMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BSO201SPNTMA1, BSO201SPNTMA1數據表 (總頁數: 8, 大小: 82.48 KB)
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BSO201SPNTMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)14.9A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8mOhm @ 14.9A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs128nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5962pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝P-DSO-8
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 27.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

330nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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9400pF @ 25V

FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

270nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15605pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

210nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3860pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

380W (Tc)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 1.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 5V

Vgs(最大)

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FET功能

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功耗(最大值)

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