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BSO211PNTMA1

BSO211PNTMA1

僅供參考

型號 BSO211PNTMA1
PNEDA編號 BSO211PNTMA1
描述 MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,610
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 16 - 二月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSO211PNTMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSO211PNTMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
BSO211PNTMA1, BSO211PNTMA1數據表 (總頁數: 8, 大小: 81.22 KB)
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BSO211PNTMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs67mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 25µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23.9nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds920pF @ 15V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝P-DSO-8

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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