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BSP135H6433XTMA1

BSP135H6433XTMA1

僅供參考

型號 BSP135H6433XTMA1
PNEDA編號 BSP135H6433XTMA1
描述 MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,754
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSP135H6433XTMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSP135H6433XTMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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BSP135H6433XTMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列SIPMOS®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)0V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs45Ohm @ 120mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 94µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.9nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds146pF @ 25V
FET功能Depletion Mode
功耗(最大值)1.8W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-223
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 500mA, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

160nC @ 20V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2500pF @ 25V

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功耗(最大值)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

175mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

748nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20600pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32.5mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2970pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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