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BSP324 E6327

BSP324 E6327

僅供參考

型號 BSP324 E6327
PNEDA編號 BSP324-E6327
描述 MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,860
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSP324 E6327資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSP324 E6327
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BSP324 E6327, BSP324 E6327數據表 (總頁數: 8, 大小: 539.33 KB)
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BSP324 E6327規格

制造商Infineon Technologies
系列SIPMOS®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)400V
電流-25°C時的連續漏極(Id)170mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs25Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 94µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.9nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds154pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1.8W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-SOT223-4
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 5.8A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

930pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2385pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.9W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.1mOhm @ 76A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

99nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3171pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

99W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

135nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6150pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.25W (Ta), 104W (Tc)

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

720mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

92nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

460W (Tc)

工作溫度

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