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BSP52

BSP52

僅供參考

型號 BSP52
PNEDA編號 BSP52
描述 TRANS NPN DARL 80V 0.8A SOT-223
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,364
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSP52資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSP52
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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BSP52規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)800mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.3V @ 500µA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)10µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce2000 @ 500mA, 10V
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223-4

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 5V

功率-最大

700mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

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Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

800mW

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 40mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

6 @ 300mA, 10V

功率-最大

800mW

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 2mA, 10V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

250nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 30mA, 10V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

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