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BSS131H6327XTSA1

BSS131H6327XTSA1

僅供參考

型號 BSS131H6327XTSA1
PNEDA編號 BSS131H6327XTSA1
描述 MOSFET N-CH 240V 0.11A SOT23
制造商 Infineon Technologies
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庫存 888,906
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSS131H6327XTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSS131H6327XTSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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BSS131H6327XTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列SIPMOS®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)240V
電流-25°C時的連續漏極(Id)110mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs14Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.8V @ 56µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.1nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds77pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)360mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23-3
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.1mOhm @ 22.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

152nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8075pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 104W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

74nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6900pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta), 78W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

210nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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