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BSS138W E6433

BSS138W E6433

僅供參考

型號 BSS138W E6433
PNEDA編號 BSS138W-E6433
描述 MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,682
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSS138W E6433資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSS138W E6433
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BSS138W E6433, BSS138W E6433數據表 (總頁數: 9, 大小: 351.85 KB)
PDFBSS138W L6433數據表 封面
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BSS138W E6433規格

制造商Infineon Technologies
系列SIPMOS®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)280mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.5Ohm @ 220mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.4V @ 26µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.5nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds43pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)500mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-SOT323-3
包裝/箱SC-70, SOT-323

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 630µ

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1750pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

151W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

115mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.59nC @ 4.5V

Vgs(最大)

40V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta)

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

48nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2480pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

77W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 30µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

±16V

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FET功能

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功耗(最大值)

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Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

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