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BSS138WH6433XTMA1

BSS138WH6433XTMA1

僅供參考

型號 BSS138WH6433XTMA1
PNEDA編號 BSS138WH6433XTMA1
描述 MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,752
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSS138WH6433XTMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSS138WH6433XTMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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BSS138WH6433XTMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列SIPMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)280mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.4V @ 26µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.5nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds43pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)500mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-SOT323-3
包裝/箱SC-70, SOT-323

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

72nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3261pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

403W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

-

制造商

IXYS

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

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工作溫度

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10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 730µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1850pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

151W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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