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BSS159NH6327XTSA2

BSS159NH6327XTSA2

僅供參考

型號 BSS159NH6327XTSA2
PNEDA編號 BSS159NH6327XTSA2
描述 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 25,914
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 21 - 十一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSS159NH6327XTSA2資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSS159NH6327XTSA2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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BSS159NH6327XTSA2規格

制造商Infineon Technologies
系列SIPMOS®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)230mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)0V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.5Ohm @ 160mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 26µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.4nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds39pF @ 25V
FET功能Depletion Mode
功耗(最大值)360mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23-3
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 300µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3900pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

460mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.1Ohm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

-8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

63pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SOT-23

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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制造商

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系列

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 12µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

716pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

31W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

750mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

156W (Tc)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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