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BSS192PE6327

BSS192PE6327

僅供參考

型號 BSS192PE6327
PNEDA編號 BSS192PE6327
描述 MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,022
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSS192PE6327資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSS192PE6327
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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BSS192PE6327規格

制造商Infineon Technologies
系列SIPMOS®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)250V
電流-25°C時的連續漏極(Id)190mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.8V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs12Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 130µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.1nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds104pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-SOT89
包裝/箱TO-243AA

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

81nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3220pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta), 150W (Tj)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.87A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

420mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.65nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

37pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Infineon Technologies

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

950mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

580pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

60pF @ 25V

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