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BSS5130T116

BSS5130T116

僅供參考

型號 BSS5130T116
PNEDA編號 BSS5130T116
描述 BSS5130 IS A SOT-23 PACKAGE TRAN
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,514
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 23 - 四月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSS5130T116資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSS5130T116
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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BSS5130T116規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic380mV @ 25mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce270 @ 100mA, 2V
功率-最大200mW
頻率-過渡320MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SST3

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120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 400mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 200mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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3.5V @ 5A, 15A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 50mA, 10V

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頻率-過渡

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工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

1.5W

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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