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BSS84AKT,115

BSS84AKT,115

僅供參考

型號 BSS84AKT,115
PNEDA編號 BSS84AKT-115
描述 MOSFET P-CH 50V SC-75
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 8,064
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 22 - 十一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSS84AKT資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSS84AKT,115
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BSS84AKT, BSS84AKT數據表 (總頁數: 17, 大小: 978.96 KB)
PDFBSS84AKT數據表 封面
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BSS84AKT規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)50V
電流-25°C時的連續漏極(Id)150mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.35nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds36pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)250mW (Ta), 770mW (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-75
包裝/箱SC-75, SOT-416

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系列

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FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

269nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3565pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

375W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

163mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.75V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1320pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

310nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

19000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

635pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

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