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BSS84LT1G

BSS84LT1G

僅供參考

型號 BSS84LT1G
PNEDA編號 BSS84LT1G
描述 MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,962,622
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSS84LT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSS84LT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BSS84LT1G, BSS84LT1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 181.01 KB)
PDFBSS84LT1數據表 封面
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BSS84LT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)50V
電流-25°C時的連續漏極(Id)130mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs10Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds30pF @ 5V
FET功能-
功耗(最大值)225mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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3.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.4W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.6mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1642pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

63W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

55A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 27.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

49nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3280pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

157W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

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