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BSS84PW L6327

BSS84PW L6327

僅供參考

型號 BSS84PW L6327
PNEDA編號 BSS84PW-L6327
描述 MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,244
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSS84PW L6327資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSS84PW L6327
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BSS84PW L6327, BSS84PW L6327數據表 (總頁數: 8, 大小: 133.03 KB)
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BSS84PW L6327規格

制造商Infineon Technologies
系列SIPMOS®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)150mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8Ohm @ 150mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 20µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.5nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds19.1pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)300mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-SOT323-3
包裝/箱SC-70, SOT-323

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 350µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.47W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

700mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

235pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

27W (Tc)

工作溫度

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta), 12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

570pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 10V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

910mW (Tj)

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