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BSZ0500NSIATMA1

BSZ0500NSIATMA1

僅供參考

型號 BSZ0500NSIATMA1
PNEDA編號 BSZ0500NSIATMA1
描述 MOSFET N-CH 30V 30A 8SON
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,304
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSZ0500NSIATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSZ0500NSIATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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BSZ0500NSIATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs52nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3400pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.1W (Ta), 69W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TSDSON-8-FL
包裝/箱8-PowerTDFN

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800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

635pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Nexperia

制造商

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系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

210mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

365pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

335mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Nexperia

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

61A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.75mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

115nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

4W (Ta), 150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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