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BU508AFI

BU508AFI

僅供參考

型號 BU508AFI
PNEDA編號 BU508AFI
描述 TRANS NPN 700V 8A ISOWATT218
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 5,994
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 27 - 四月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BU508AFI資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BU508AFI
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BU508AFI, BU508AFI數據表 (總頁數: 8, 大小: 248.86 KB)
PDFBU508AFI數據表 封面
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BU508AFI規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)700V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 2A, 4.5A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大50W
頻率-過渡7MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱ISOWATT-218-3
供應商設備包裝ISOWATT-218FX

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10000 @ 100mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

125MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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TO-92-3

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Diodes Incorporated

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

7A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

280mV @ 350mA, 7A

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1A, 1V

功率-最大

4.2W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Diodes Incorporated

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Diodes Incorporated

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 100mA, 5V

功率-最大

2W

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 2A, 15V

功率-最大

3W

頻率-過渡

-

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100mA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 1mA, 5V

功率-最大

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