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BU808DFI

BU808DFI

僅供參考

型號 BU808DFI
PNEDA編號 BU808DFI
描述 TRANS NPN DARL 700V ISOWATT218
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,978
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BU808DFI資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BU808DFI
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BU808DFI, BU808DFI數據表 (總頁數: 7, 大小: 217.18 KB)
PDFBU808DFI數據表 封面
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BU808DFI規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)700V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.6V @ 500mA, 5A
當前-集電極截止(最大值)400µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 5A, 5V
功率-最大52W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱ISOWATT-218-3
供應商設備包裝ISOWATT-218

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45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 100mA, 1V

功率-最大

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頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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安裝類型

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 500mA, 5V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

135 @ 100mA, 2V

功率-最大

500mW

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 40mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

20µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 1V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

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