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BUD42D-1G

BUD42D-1G

僅供參考

型號 BUD42D-1G
PNEDA編號 BUD42D-1G
描述 TRANS NPN 350V 4A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,636
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUD42D-1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUD42D-1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BUD42D-1G, BUD42D-1G數據表 (總頁數: 12, 大小: 185.34 KB)
PDFBUD42DG數據表 封面
BUD42DG數據表 頁面 2 BUD42DG數據表 頁面 3 BUD42DG數據表 頁面 4 BUD42DG數據表 頁面 5 BUD42DG數據表 頁面 6 BUD42DG數據表 頁面 7 BUD42DG數據表 頁面 8 BUD42DG數據表 頁面 9 BUD42DG數據表 頁面 10 BUD42DG數據表 頁面 11

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BUD42D-1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)350V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 500mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce10 @ 2A, 5V
功率-最大25W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 500mA, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

210MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-243AA

供應商設備包裝

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

210 @ 1A, 2V

功率-最大

480mW

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200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

90V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 600mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

200µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 1A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

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-65°C ~ 150°C (TJ)

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制造商

Panasonic Electronic Components

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

290 @ 2mA, 10V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

550mV @ 1.25mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 2mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

125MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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