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BUH51

BUH51

僅供參考

型號 BUH51
PNEDA編號 BUH51
描述 TRANS NPN 500V 3A TO-225
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 1 - 四月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUH51資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUH51
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BUH51, BUH51數據表 (總頁數: 10, 大小: 186.51 KB)
PDFBUH51G數據表 封面
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BUH51規格

制造商ON Semiconductor
系列SWITCHMODE™
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)500V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 200mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce8 @ 1A, 1V
功率-最大50W
頻率-過渡23MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-225AA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 8mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 1A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Diodes Incorporated

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

175mV @ 400mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1A, 2V

功率-最大

1.1W

頻率-過渡

55MHz

工作溫度

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

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625mW

頻率-過渡

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 30mA, 400mV

功率-最大

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