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BUJ302AD,118

BUJ302AD,118

僅供參考

型號 BUJ302AD,118
PNEDA編號 BUJ302AD-118
描述 TRANS NPN 400V 4A DPAK
制造商 WeEn Semiconductors
單價 請求報價
庫存 57,582
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 3 - 三月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUJ302AD資源

品牌 WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUJ302AD,118
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BUJ302AD, BUJ302AD數據表 (總頁數: 13, 大小: 291.67 KB)
PDFBUJ302AD數據表 封面
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BUJ302AD規格

制造商WeEn Semiconductors
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)400V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 1A, 3.5A
當前-集電極截止(最大值)250mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce25 @ 800mA, 3V
功率-最大80W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 375mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 3A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220AB

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10000 @ 100mA, 5V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

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10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 500mA, 1V

功率-最大

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頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

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頻率-過渡

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