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BUJ303B,127

BUJ303B,127

僅供參考

型號 BUJ303B,127
PNEDA編號 BUJ303B-127
描述 TRANS NPN 400V 5A TO220AB
制造商 WeEn Semiconductors
單價 請求報價
庫存 3,996
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUJ303B資源

品牌 WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUJ303B,127
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BUJ303B, BUJ303B數據表 (總頁數: 9, 大小: 346.84 KB)
PDFBUJ303B數據表 封面
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BUJ303B規格

制造商WeEn Semiconductors
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)400V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 1A, 3A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce23 @ 800mA, 3V
功率-最大100W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

180MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-723

供應商設備包裝

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制造商

STMicroelectronics

系列

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晶體管類型

PNP - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

16A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 40mA, 10A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 10A, 3V

功率-最大

150W

頻率-過渡

-

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 350mA, 7A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 1A, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 1mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20000 @ 100mA, 5V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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工作溫度

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

-

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Surface Mount

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