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BUJ303CD,118

BUJ303CD,118

僅供參考

型號 BUJ303CD,118
PNEDA編號 BUJ303CD-118
描述 TRANS NPN 400V 5A DPAK
制造商 WeEn Semiconductors
單價 請求報價
庫存 2,970
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 28 - 四月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUJ303CD資源

品牌 WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUJ303CD,118
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BUJ303CD, BUJ303CD數據表 (總頁數: 13, 大小: 289.73 KB)
PDFBUJ303CD數據表 封面
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BUJ303CD規格

制造商WeEn Semiconductors
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)400V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 1A, 3A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce28 @ 10mA, 3V
功率-最大80W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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3A

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

360mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 500mA, 2V

功率-最大

5W

頻率-過渡

-

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 80mA, 800mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 500mA, 2V

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