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BUJD105AD,118

BUJD105AD,118

僅供參考

型號 BUJD105AD,118
PNEDA編號 BUJD105AD-118
描述 TRANS NPN 400V 8A DPAK
制造商 WeEn Semiconductors
單價 請求報價
庫存 5,292
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUJD105AD資源

品牌 WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUJD105AD,118
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BUJD105AD, BUJD105AD數據表 (總頁數: 13, 大小: 292.35 KB)
PDFBUJD105AD數據表 封面
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BUJD105AD規格

制造商WeEn Semiconductors
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)400V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 800mA, 4A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce13 @ 500mA, 5V
功率-最大80W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 15mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 1mA, 10V

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300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 50mA, 10V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 100mA, 10A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 5A, 3V

功率-最大

80W

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

550mV @ 1.25mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

140 @ 2mA, 5V

功率-最大

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工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 70mA, 700mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 100mA, 3V

功率-最大

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