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BUK724R5-30C,118

BUK724R5-30C,118

僅供參考

型號 BUK724R5-30C,118
PNEDA編號 BUK724R5-30C-118
描述 MOSFET N-CH 30V DPAK
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 3,510
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUK724R5-30C資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUK724R5-30C,118
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BUK724R5-30C, BUK724R5-30C數據表 (總頁數: 14, 大小: 1,220.57 KB)
PDFBUK724R5-30C數據表 封面
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BUK724R5-30C規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)75A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs62nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3760pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)157W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

400mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.68nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta), 1.14W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

725mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

615pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

62.5W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

Thin-Pak (8x8)

包裝/箱

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制造商

Vishay Siliconix

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

I2PAK

包裝/箱

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

制造商

IXYS

系列

GigaMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

170V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

210A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

285nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

18800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Ta), 30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1480pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Ta), 27W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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