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BUK763R9-60E/GFJ

BUK763R9-60E/GFJ

僅供參考

型號 BUK763R9-60E/GFJ
PNEDA編號 BUK763R9-60E-GFJ
描述 MOSFET N-CH D2PAK
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 3,546
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 20 - 四月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUK763R9-60E/GFJ資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUK763R9-60E/GFJ
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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BUK763R9-60E/GFJ規格

制造商NXP USA Inc.
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

135 @ 100mA, 2V

功率-最大

750mW

頻率-過渡

160MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

320mV @ 20mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1.5A, 2V

功率-最大

545mW

頻率-過渡

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安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

280MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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