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BUK78150-55A/CUX

BUK78150-55A/CUX

僅供參考

型號 BUK78150-55A/CUX
PNEDA編號 BUK78150-55A-CUX
描述 MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
制造商 Nexperia
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庫存 4,482
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUK78150-55A/CUX資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUK78150-55A/CUX
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BUK78150-55A/CUX, BUK78150-55A/CUX數據表 (總頁數: 13, 大小: 926.36 KB)
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BUK78150-55A/CUX規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列TrenchMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs150mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds230pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)8W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-73
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

130A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.1mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

104nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5080pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

360W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-263 (IXFA)

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NVMFS6B14NLWFT1G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

Automotive, AEC-Q101

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta), 55A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1680pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 94W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

包裝/箱

8-PowerTDFN

STH275N8F7-2AG

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.1mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

193nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13600pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

315W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

H2Pak-2

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

QFET®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

33.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 16.75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2910pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.75W (Ta), 155W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

85V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

95A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.4mOhm @ 95A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 130µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

99nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6690pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

167W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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