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BUK7C06-40AITE,118

BUK7C06-40AITE,118

僅供參考

型號 BUK7C06-40AITE,118
PNEDA編號 BUK7C06-40AITE-118
描述 MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 2,016
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUK7C06-40AITE資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUK7C06-40AITE,118
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BUK7C06-40AITE, BUK7C06-40AITE數據表 (總頁數: 15, 大小: 314.82 KB)
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BUK7C06-40AITE規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)75A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs120nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4300pF @ 25V
FET功能Current Sensing
功耗(最大值)272W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

62mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

780pF @ 15V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

STP16NK65Z

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制造商

STMicroelectronics

系列

SuperMESH™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

89nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2750pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

TO-220-3

NVF3055L108T3G

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制造商

ON Semiconductor

系列

Automotive, AEC-Q101

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 1.5A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

440pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.1Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1180pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

41W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30mA (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

0V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1000Ohm @ 500µA, 0V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10pF @ 25V

FET功能

Depletion Mode

功耗(最大值)

1.6W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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