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BUK9237-55A,118

BUK9237-55A,118

僅供參考

型號 BUK9237-55A,118
PNEDA編號 BUK9237-55A-118
描述 MOSFET N-CH 55V 32A DPAK
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 4,896
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUK9237-55A資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUK9237-55A,118
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BUK9237-55A, BUK9237-55A數據表 (總頁數: 13, 大小: 1,002.03 KB)
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BUK9237-55A規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)32A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs33mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17.6nC @ 5V
Vgs(最大)±15V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1236pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)77W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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制造商

Infineon Technologies

系列

*

FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

-

IRFU7440PBF

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

134nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4610pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

IPAK (TO-251)

包裝/箱

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

Automotive, AEC-Q101

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

38A (Ta), 200A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4300pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

1000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

440mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

260nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

460W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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