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BUK9Y38-100E,115

BUK9Y38-100E,115

僅供參考

型號 BUK9Y38-100E,115
PNEDA編號 BUK9Y38-100E-115
描述 MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 2,646
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUK9Y38-100E資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUK9Y38-100E,115
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BUK9Y38-100E, BUK9Y38-100E數據表 (總頁數: 13, 大小: 737.61 KB)
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BUK9Y38-100E規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs38mOhm @ 5A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs21.6nC @ 5V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2541pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)94.9W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱SC-100, SOT-669

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制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

160A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.9mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 160µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

117nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8410pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

214W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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系列

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.2A (Ta), 32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2150pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.1Ohm @ 2.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

780pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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制造商

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FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

-

工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

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95nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

功耗(最大值)

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工作溫度

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