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BUK9Y3R0-40E/GFX

BUK9Y3R0-40E/GFX

僅供參考

型號 BUK9Y3R0-40E/GFX
PNEDA編號 BUK9Y3R0-40E-GFX
描述 MOSFET N-CH LFPAK
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 4,914
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUK9Y3R0-40E/GFX資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUK9Y3R0-40E/GFX
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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  • BUK9Y3R0-40E/GFX Distributor

BUK9Y3R0-40E/GFX規格

制造商NXP USA Inc.
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 500mA, 10V

功率-最大

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頻率-過渡

25MHz

工作溫度

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包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

700mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 50mA, 2V

功率-最大

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 4mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

2µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 20mA, 10V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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