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BUK9Y4R8-60E,115

BUK9Y4R8-60E,115

僅供參考

型號 BUK9Y4R8-60E,115
PNEDA編號 BUK9Y4R8-60E-115
描述 MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 200,412
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUK9Y4R8-60E資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUK9Y4R8-60E,115
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BUK9Y4R8-60E, BUK9Y4R8-60E數據表 (總頁數: 13, 大小: 728.22 KB)
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BUK9Y4R8-60E規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs50nC @ 5V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7853pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)238W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱SC-100, SOT-669

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

151pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 1.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

220pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

27W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

39A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.8mOhm @ 28.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 650µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2520pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

38W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

930pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

110W (Tc)

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