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BULB742C-1

BULB742C-1

僅供參考

型號 BULB742C-1
PNEDA編號 BULB742C-1
描述 TRANS NPN 400V 4A I2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 13,620
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 19 - 四月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BULB742C-1資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BULB742C-1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BULB742C-1, BULB742C-1數據表 (總頁數: 14, 大小: 522.1 KB)
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BULB742C-1規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)400V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 1A, 3.5A
當前-集電極截止(最大值)250µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce25 @ 800mA, 3V
功率-最大70W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供應商設備包裝I2PAK (TO-262)

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1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

140V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 50mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 1A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

350V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 5mA, 50mA

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

960mV @ 5mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20000 @ 100mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

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