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BUV26G

BUV26G

僅供參考

型號 BUV26G
PNEDA編號 BUV26G
描述 TRANS NPN 90V 20A TO220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,076
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUV26G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUV26G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BUV26G, BUV26G數據表 (總頁數: 4, 大小: 79.47 KB)
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BUV26G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)20A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)90V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 1.2A, 12A
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大85W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

250nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 30mA, 10V

功率-最大

2W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-261-4, TO-261AA

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Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 150mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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2SC4617

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 60mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

125mW

頻率-過渡

180MHz

工作溫度

-

安裝類型

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SC-75, SOT-416

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

5.3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 265mA, 5.3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 2A, 2V

功率-最大

2.1W

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 3mA, 30mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

130 @ 2mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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