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BUZ73ALHXKSA1

BUZ73ALHXKSA1

僅供參考

型號 BUZ73ALHXKSA1
PNEDA編號 BUZ73ALHXKSA1
描述 MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,544
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUZ73ALHXKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUZ73ALHXKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BUZ73ALHXKSA1, BUZ73ALHXKSA1數據表 (總頁數: 10, 大小: 1,654.17 KB)
PDFBUZ73ALHXKSA1數據表 封面
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BUZ73ALHXKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列SIPMOS®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs600mOhm @ 3.5A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds840pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)40W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO220-3
包裝/箱TO-220-3

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N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 440µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

950pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

104W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D²PAK (TO-263AB)

包裝/箱

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制造商

STMicroelectronics

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

577pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

70W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220

包裝/箱

TO-220-3

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

1500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150Ohm @ 50mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

80pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 20W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220-3

包裝/箱

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制造商

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-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.3Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1170pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

178W (Tc)

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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5.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.29nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

800mW (Ta), 25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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