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BVSS123LT1G

BVSS123LT1G

僅供參考

型號 BVSS123LT1G
PNEDA編號 BVSS123LT1G
描述 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 250,386
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BVSS123LT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BVSS123LT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BVSS123LT1G, BVSS123LT1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 176.14 KB)
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BVSS123LT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)170mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.8V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds20pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)225mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23-3
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

350mA (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

65pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-92-3

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™ P7

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

99mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 530µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1952pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

117W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

PG-TO247-3

包裝/箱

TO-247-3

FQD630TM

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

QFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

550pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 46W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D-Pak

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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制造商

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

43A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1150pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

71W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

52mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

808pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.4W (Ta)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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