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BY229-200-E3/45

BY229-200-E3/45

僅供參考

型號 BY229-200-E3/45
PNEDA編號 BY229-200-E3-45
描述 DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,696
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 18 - 十一月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BY229-200-E3/45資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BY229-200-E3/45
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BY229-200-E3/45規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.85V @ 20A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)145ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-204AC (DO-15)

工作溫度-結點

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600V

電流-平均整流(Io)

1A

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1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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制造商

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系列

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二極管類型

-

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

-

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

475mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 20V

電容@ Vr,F

200pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)

20A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

660mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

供應商設備包裝

ITO-220AC

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