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BY229B-800HE3/45

BY229B-800HE3/45

僅供參考

型號 BY229B-800HE3/45
PNEDA編號 BY229B-800HE3-45
描述 DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 7,578
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BY229B-800HE3/45資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BY229B-800HE3/45
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BY229B-800HE3/45規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.85V @ 20A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)145ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 800V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.35V @ 10A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

33µA @ 420V

電容@ Vr,F

495pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 10V

電容@ Vr,F

42pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

650A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.05V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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DO-200AB, B-PUK

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 60V

電容@ Vr,F

80pF @ 5V, 1MHz

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