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BYD33GGP-E3/73

BYD33GGP-E3/73

僅供參考

型號 BYD33GGP-E3/73
PNEDA編號 BYD33GGP-E3-73
描述 DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,330
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYD33GGP-E3/73資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYD33GGP-E3/73
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BYD33GGP-E3/73規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 400V
電容@ Vr,F15pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-204AL (DO-41)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

-55°C ~ 125°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.85V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 2500V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 20V

電容@ Vr,F

125pF @ 4V, 1MHz

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包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 50V

電容@ Vr,F

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