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BYG10D-E3/TR

BYG10D-E3/TR BYG10D-E3/TR

僅供參考

型號 BYG10D-E3/TR
PNEDA編號 BYG10D-E3-TR
描述 DIODE AVALANCHE 200V 1.5A
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $32.8292
100 ---------- $31.2903
250 ---------- $29.7514
500 ---------- $28.2126
750 ---------- $26.9302
1,000 ---------- $25.6478
庫存 1
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 4 - 十二月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYG10D-E3/TR資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYG10D-E3/TR
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BYG10D-E3/TR, BYG10D-E3/TR數據表 (總頁數: 5, 大小: 100.2 KB)
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BYG10D-E3/TR規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Avalanche
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1.5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.15V @ 1.5A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)4µs
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 1000V

電容@ Vr,F

15pF @ 12V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

-

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 30V

電容@ Vr,F

9pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

470mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 40V

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