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BYG20JHM3_A/H

BYG20JHM3_A/H

僅供參考

型號 BYG20JHM3_A/H
PNEDA編號 BYG20JHM3_A-H
描述 DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 2,862
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYG20JHM3_A/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYG20JHM3_A/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BYG20JHM3_A/H, BYG20JHM3_A/H數據表 (總頁數: 5, 大小: 97.09 KB)
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BYG20JHM3_A/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Avalanche
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1.5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.4V @ 1.5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)75ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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600V

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1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

Axial, Radial Bend

供應商設備包裝

A-405

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

VS-40HFR20M

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 125A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

52.3A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

126ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 20V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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