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BYG21MHE3_A/I

BYG21MHE3_A/I

僅供參考

型號 BYG21MHE3_A/I
PNEDA編號 BYG21MHE3_A-I
描述 DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 4,194
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 4 - 十二月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYG21MHE3_A/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYG21MHE3_A/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BYG21MHE3_A/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Avalanche
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)1.5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.6V @ 1.5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)120ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 1000V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

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當前-反向泄漏@ Vr

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

500V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 9A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 500V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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