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BYG22BHM3_A/H

BYG22BHM3_A/H

僅供參考

型號 BYG22BHM3_A/H
PNEDA編號 BYG22BHM3_A-H
描述 DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,808
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYG22BHM3_A/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYG22BHM3_A/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BYG22BHM3_A/H, BYG22BHM3_A/H數據表 (總頁數: 5, 大小: 92.21 KB)
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BYG22BHM3_A/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Avalanche
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

33µA @ 420V

電容@ Vr,F

495pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

10µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 2200V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

10ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 10V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

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