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BYG24JHM3_A/H

BYG24JHM3_A/H

僅供參考

型號 BYG24JHM3_A/H
PNEDA編號 BYG24JHM3_A-H
描述 DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 8,352
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 9 - 十一月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYG24JHM3_A/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYG24JHM3_A/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BYG24JHM3_A/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Avalanche
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1.5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 1.5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)140ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 2200V

電容@ Vr,F

7pF @ 700V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

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3V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

9.8ns

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 600V

電容@ Vr,F

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包裝/箱

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當前-反向泄漏@ Vr

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制造商

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系列

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

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