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BYM10-50-E3/97

BYM10-50-E3/97

僅供參考

型號 BYM10-50-E3/97
PNEDA編號 BYM10-50-E3-97
描述 DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,580
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYM10-50-E3/97資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYM10-50-E3/97
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BYM10-50-E3/97規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 50V
電容@ Vr,F8pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AB, MELF (Glass)
供應商設備包裝DO-213AB
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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1000V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

6pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

2-SMD, Flat Lead

供應商設備包裝

D-Flat

工作溫度-結點

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Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

95A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 60A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10mA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AB, DO-5, Stud

供應商設備包裝

DO-5

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 6A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

150pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

P600, Axial

供應商設備包裝

P600

工作溫度-結點

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