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BYM11-100HE3/96

BYM11-100HE3/96

僅供參考

型號 BYM11-100HE3/96
PNEDA編號 BYM11-100HE3-96
描述 DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,808
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYM11-100HE3/96資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYM11-100HE3/96
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BYM11-100HE3/96規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)150ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 100V
電容@ Vr,F15pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AB, MELF (Glass)
供應商設備包裝DO-213AB
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 80A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

190ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

35pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

35A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 35A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 8A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

55pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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125V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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