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BYT12P-1000

BYT12P-1000

僅供參考

型號 BYT12P-1000
PNEDA編號 BYT12P-1000
描述 DIODE GEN PURP 1KV 12A TO220AC
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,856
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYT12P-1000資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYT12P-1000
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BYT12P-1000規格

制造商STMicroelectronics
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)12A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.9V @ 12A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)155ns
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 1000V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

Axial

供應商設備包裝

Axial

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

BAS19LT1

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

120V

電流-平均整流(Io)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 100V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23-3 (TO-236)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

1N4154TR_S00Z

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

35V

電流-平均整流(Io)

100mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 30mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 25V

電容@ Vr,F

4pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

DO-35

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175°C (Max)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1.5A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

10.4pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-220AA

供應商設備包裝

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