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BYT52J-TAP

BYT52J-TAP

僅供參考

型號 BYT52J-TAP
PNEDA編號 BYT52J-TAP
描述 DIODE AVALANCHE 600V 1.4A SOD57
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,014
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYT52J-TAP資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYT52J-TAP
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BYT52J-TAP, BYT52J-TAP數據表 (總頁數: 4, 大小: 131.27 KB)
PDFBYT52K-TR數據表 封面
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BYT52J-TAP規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Avalanche
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1.4A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)200ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱SOD-57, Axial
供應商設備包裝SOD-57
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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1A

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1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

Sub SMA

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

890mV @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

65pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

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40V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

2-SMD, J-Lead

供應商設備包裝

SJP

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

440mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10mA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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