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BYT54M-TR

BYT54M-TR

僅供參考

型號 BYT54M-TR
PNEDA編號 BYT54M-TR
描述 DIODE AVALANCHE 1KV 1.25A SOD57
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 8,190
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYT54M-TR資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYT54M-TR
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BYT54M-TR規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Avalanche
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)1.25A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)100ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 1000V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱SOD-57, Axial
供應商設備包裝SOD-57
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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1200V

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5A

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2.2V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

95ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 30V

電容@ Vr,F

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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